近日，中国国际大学生创新大赛（2023）全国总决赛在天津大学顺利举办，必赢nn699net学子取得佳绩，获得银奖1项！铜奖1项！由翟鲲鹏（校友）担任项目负责人的“北京中科芯光科技有限公司——硅基薄膜铌酸锂集成光电子平台”项目团队荣获银奖。由张铮担任指导教师，段天浩担任项目负责人的“芯维科技——二维硒化钨场效应晶体管开拓者”项目团队荣获铜奖。

银奖团队项目介绍：

北京中科芯光科技有限公司由学校本科毕业生翟鲲鹏创建，其在校期间就读于必赢nn699net黄昆班，为在半导体行业创业打下了坚实的基础。同时，翟鲲鹏受到学校“励志计划”的培养，在校友的指导下提升了领导力和商业意识，在读期间每年参与科创竞赛，毕业后长期参与学校创新创业活动，在学校的鼓励下成立公司。参赛期间在学校“鼎新计划”创新创业导师的指导下不断完善商业计划，借助市赛平台得到校友投资人的天使轮投资。

公司成立于2023年3月，采用IDM模式运行，目前在北京、浙江、江苏等地拥有生产研发基地。公司解决了高速调制器芯片全链条国产替代的技术难题，达到国际领先水平，在怀柔科学城等地拥有研发基地，已有多款与可定制化产品，拥有核心自主知识产权，团队成员申请发明专利30余项，高水平论文100余篇，均与高速光电子器件息息相关，并成功应用于光通信行业中，为相关企业行业创造经济价值。

铜奖团队项目介绍：

团队利用硒化钨所具有的超薄的结构、原子级平整度、无悬挂键表面等优点，解决场效应晶体管在以硅基材料为沟道材料时在尺寸微缩过程中由短沟道效应、量子隧穿效应等带来的晶体管性能的下降的问题；另一方面，利用硒化钨的双极性实现晶体管载流子类型与浓度的可调性，还可以在一个晶体管上实现多重逻辑功能，使一个硒化钨晶体管能够实现原来多个硅基晶体管才能实现的功能，达到提高集成电路面积使用效率的目的。团队以双极型二维半导体材料硒化钨为沟道材料制备新型超薄（埃米级）场效应晶体管，将其以一定方式互联，从而构筑性能优异，可实现“与”、“或”、“非”等逻辑功能的二维WSe2同质逻辑器件，并对其应用进行探索和推广。